Nội dung

M«n häc ®iÖn tö c«ng suÊt TS. NguyÔn TiÕn Ban 1 Tµi liÖu tham kh¶o [1]. PGS.TSKH Thân Ngọc Hoàn ( 2004) Điện tử công suất Nhà xuất bản xây dựng, Hà Nội. [2]. Nguyễn Bính ( 1999) Điện tử công suất Nhà xuất bản khoa học và kỹ thuật, Hà Nội [3]. PGS.TS Lê Văn Doanh - Cyril w. lander ( 1994) Điện tử công suất và điều khiển động cơ điện Nhà xuất bản khoa học và kỹ thuật, Hà Nội. [4]. PGS.TS Lê Văn Doanh ( 2004 Điện tử công suất Nhà xuất bản KH và KT, Hà Nội [5]. Phạm Quốc Hải , Dương Văn Nghi ( 1999) Phân tích và giải mạch điện tử công suất Nhà xuất bản khoa học và kỹ thuật, Hà Nội [6]. Võ Minh Chính , Phạm Quốc Hải, Trần Trọng Minh ( 2004). Điện tử công suất Nhà xuất bản khoa học và kỹ thuật, Hà Nội [7]. Bimal K. Bose (1998) Power electronics and Variable Frequency Driver The institute Electrical and Electronics Engineers, Inc,New York 2 Néi dung m«n häc Ch­¬ng 1. C¸c linh kiÖn b¸n dÉn Ch­¬ng 2. ChØnh l­u Ch­¬ng 3. Bé biÕn ®æi ®iÖn ¸p xoay chiÒu Ch­¬ng 4. Bé biÕn ®æi ®iÖn ¸p mét chiÒu Ch­¬ng 5.NghÞch l­u vµ biÕn tÇn. Chương 6. Thiết bị điều khiển điện tử 3 Chương 1 CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN 4 Mét sè lÜnh vùc øng dông cña ®iÖn tö c«ng suÊt( § T C S) 5 Mét vµi vÝ dô øng dông ®iÖn tö c«ng suÊt • Ứng dụng các bộ biến đổi ĐTCS giúp tiết kiệm năng lượng, nâng cao chất lượng đáp ứng của thiết bị. 6 S¬ ®å chøc n¨ng bé biÕn ®æi 7 bé æn ¸p tuyÕn tÝnh 8 bé æn ¸p xung 9 bé æn ¸p xung 10 ChÕ ®é ho¹t ®éng cña bé biÕn ®æi 11 C¸c linh kiÖn ®iÖn tö c«ng suÊt th«ng dông 12 Diode - ®i èt 13 C¸c th«ng sè c¬ b¶n cña mét diode 1.Dßng ®iÖn thuËn I D : Gi¸ trÞ trung b×nh cña dßng ®iÖn cho phÐp ch¹y qua diode theo chiÒu thuËn I D §©y lµ gi¸ trÞ lùa chän diode cho øng dông thùc tÕ 2.§iÖn ¸p ng­îc U Ng.max: Gi¸ trÞ ®iÖn ¸p ng­îc lín nhÊt mµ diode cã thÓ chÞu dùng ®­îc. Lu«n lùa chän: UAK < U Nguoc max 3. Thêi gian phôc håi tr : thêi gian chuyÓn m¹ch ®Ó ph©n chia diode th­êng, c¾t 14 Thyristor (SCR) 15 Thyristor (SCR) 16 Thyristor ( T ) cã 3 líp tiÕp gi¸p J1, J2 vµ J3 vµ 3 cùc A, K vµ cùc ®iÒu khiÓn G §Æc tÝnh V – A cña T cã 2 phÇn : ThuËn n»m t¹i gãc 1/4 I víi U AK > 0 cßn ng­îc n»m t¹i III cã U AK < 0. Khi kh«ng cã dßng ®iÒu khiÓn I G = 0 th× ph¶i t¨ng U AK ®Õn mét gi¸ trÞ lín T míi më. Lóc ®ã T coi nh­bÞ ®¸nh thñng. Khi cã dßng ®iÒu khiÓn I G >0 lóc ®ã T sÏ chuyÓn m¹ch. Tuú thuéc vµo ®é lín cña I G mµ T sÏ më sím hay muén. 17 Më vµ kho¸ thyristor T ®­îc më víi hai ®iÒu kiÖn: +U AK > 0, + Xung dßng ®iÖn ®­a vµo cùc G Khi T ®· më, nÕu tån t¹i I DT duy tr× th× T tiÕp tôc dÉn, kh«ng cÇn t¸c ®éng dßng ®iÒu khiÓn : Cã thÓ ®/k më T b»ng xung dßng cã ®é réng xung nhÊt ®Þnh. T kho¸: I 0, kênh dẫn với các hạt mang điện là các điện tử hình thành ( giống như cấu trúc MOSFET). Các điện tử di chuyển về phía colector vượt qua lớp tiếp giáp n-p ( như cấu trúc giữa Bazơ và colector ở transistor thường) tạo nên dòng colector 56 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 57 Đặc tính đóng cắt của IGBT Do cấu trúc p-n-p nên điện áp thuận UCE trong chế độ dẫn dòng thấp hơn so với MOSFET, nhưng thời gian đóng cắt chậm đặc biệt khi khoá. Dòng qua IGBT gồm 2 thành phần: + I1 dòng qua MOSFET + I2 dòng qua transistor Dòng I1 khoá nhanh, I2 không thể suy giảm nhanh do điện tích tích luỹ tại lớp n 58 Yêu cầu đối với tín hiệu điều khiển IGBT IGBT mở bằng tín hiệu điện áp : Điện áp phải có mặt liên tục trên cực điều khiển G và E để xác định chế độ mở, khoá. Tín hiệu mở có biên độ UGE, tín hiệu khoá có biên độ - UGE cung cấp qua điện trở RG. Mạch GE được bảo vệ bởi ổn áp +/- 18V 59 MCT (MOS-Controlled Thyristor) 60 Khả năng đóng ngắt của các khóa bán dẫn thông dụng 61 Khả năng tải & đóng cắt của các linh kiện ĐTCS hiện nay 62

This site is protected by reCAPTCHA and the Google Privacy Policy and Terms of Service apply.